低抵抗4H-SiC単結晶の高品質化

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 2010-11-29

著者

• 西川 恒一

  大阪大学大学院生

• 小島 淳

  株式会社デンソー

• 加藤 智久

  (独)産業技術総合研究所

• 廣瀬 富佐雄

  株式会社デンソー

• 児島 一聡

  (独)産業技術総合研究所

• 木藤 泰男

  株式会社デンソー

• 山内 庄一

  株式会社デンソー

• 西川 恒一

  株式会社豊田中央研究所

• 安達 歩

  トヨタ自動車株式会社

• 伊藤 佐千子

  (独)産業技術総合研究所

関連論文

• CS-4-3 LSIチップ接続用高速高密度配線インターポーザ(CS-4.光インターコネクション技術の最新動向,シンポジウム)
• 金属薄膜・多層膜のエピタクシアル成長と電子物性
• 2a-Z-12 気相成長させた化合物半導体GaP中の格子欠陥
• 昇華法によるSiCバルク単結晶成長 : 数値解析の活用(ワイドギャップ半導体とその電子デバイス応用論文小特集)
• 低抵抗4H-SiC単結晶の高品質化
• 低抵抗4H-SiC単結晶の高品質化

スポンサーリンク