パルスレーザーメルティング法によって深い準位をとる不純物を過飽和ドープしたシリコンの赤外光吸収
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概要
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- 2012-03-09
著者
-
中川 将
甲南大学大学院自然科学研究科
-
梅津 郁朗
甲南大学理工学部物理学科 : 甲南大学量子ナノテクノロジー研究所
-
香野 淳
福岡大学
-
杉村 陽
甲南大学理工学部物理学科 : 甲南大学量子ナノテクノロジー研究所
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中川 将
甲南大学理工学部
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梅津 郁朗
甲南大学
-
杉村 陽
甲南大学
-
川邊 大介
甲南大学
-
松田 祐樹
甲南大学
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中川 将
甲南大学
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