Application of Pressure Grown GaN Substrates to Epitaxy

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 1999-09-20

著者

• Porowski S.

  High Pressure Research Center Polish Academy Of Sciences

関連論文

• GaN Single Crystals Grown by High Pressure Solution Method
• III-V Semiconducting Nitrides : Physical Properties under Pressure
• Application of Pressure Grown GaN Substrates to Epitaxy

スポンサーリンク