電流リード用金属メッシュ複合化Bi系超伝導円筒の作製
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 2005-05-31
著者
-
山口 俊久
明星大理工
-
西村 新
核融合研
-
菱沼 良光
核融合研
-
吉澤 秀治
明星大学
-
阪本 光孝
工学院大学 大学院 工学研究科 電気・電子工学専攻 修士課程
-
豊島 清崇
明星大学 大学院 理工学研究科 化学専攻 修士課程
-
山崎 貞郎
工学院大学 電気工学科
-
小島 宗次
工学院大学 電気工学科
-
豊島 清崇
明星大理工
-
吉澤 秀治
明星大理工
-
山崎 貞郎
工学院大学
-
吉澤 秀治
明星大理工環境
-
小島 宗次
工学院大学
-
小島 宗次
工学院大
-
山崎 貞郎
工学院大学大学院工学研究科
関連論文
- 20pHS-1 (Rb_Cs_x)_2CdBr_4の相転移(20pHS 誘電体(硫安・TGS・水素結合系),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 20pHS-2 (NH_4)_3K(SO_4)_2の結晶育成と相転移(20pHS 誘電体(硫安・TGS・水素結合系),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 27pPSB-6 Rb_2CdI_4の低振動光散乱(領域10ポスターセッション(誘電体),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- 28aRB-7 Cs_2CdI_4のα-β相転移の時間依存性(28aRB 誘電体(TGS・硫安系),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 28aRB-6 窒素ガス中で育成したRb_2CdI_4のチョクラルスキー法結晶の相転移(28aRB 誘電体(TGS・硫安系),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- Tl2ZnI4群強誘電体(続)特にα-β相転移と過冷却性について
- 21pVE-10 強誘電体α-Rb_2CdI_4のチョクラルスキー結晶の誘電性と熱膨張(21pVE 誘電体(硫安系),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 21pVE-9 チョクラルスキー法によるRb_2CdI_4のα結晶とβ結晶の育成と誘電性(21pVE 誘電体(硫安系),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 19pYM-4 硫酸グリシン(TGS)の低温熱容量(誘電体,領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- Pt-Rh線を複合化したDy-123系超電導溶融体の特性評価
- 30p-YD-3 LiNaGe_4O_9とLi_2Ge_7O_の熱膨脹
- 29a-YK-9 LiNaGe_4O_9の焦電気
- 28aYJ-4 NH_4B ZnY_4(B=Cs or Rb, Y=Cl or Br)の結晶育成と相転移(誘電体(TGS・硫安系),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- 28aYJ-3 Cs_2MnBr_4のα-β相転移の時間依存性(誘電体(TGS・硫安系),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- 28aYJ-2 強誘電体K_2ZnI_4のチョクラルスキー法による結晶育成(誘電体(TGS・硫安系),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- 1pーR-12 LGOの光散乱II
- 30p-YD-2 LGOの光散乱
- 1a-A-13 Li_2Ge_7_(LGO) の圧電効果II
- 電流リード用金属メッシュ複合化Bi系超伝導円筒の作製
- 27aYR-10 単斜晶系強誘電体TGSの極低温城までの熱膨張測定(誘電体,領域10(誘電体, 格子欠陥, X線・粒子線, フォノン物性))
- 31a-T-10 中性子非弾性散乱によるLGOの強誘電相転移に関与するソフトフォノンの研究
- 24pWY-9 混晶系(Rb_Cs_x)_2CdBr_4の相転移II(24pWY 硫安系・TGS・水素結合系,領域10(誘電体格子欠陥,X線・粒子線フォノン))
- 24pWY-2 (NH_4)_3Li(SO_4)_2の低温側の結晶構造(24pWY 硫安系・TGS・水素結合系,領域10(誘電体格子欠陥,X線・粒子線フォノン))
- 20aXA-4 強誘電体TGSの極低温域での熱膨張異常(誘電体,領域10,誘導体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- 19aWE-11 結晶化度の異なるアモルファスBi_4Ti_3O_試料の誘電性
- 22pX-2 Rb_2CdBr_4とRb_2HgBr_4の相転移
- 27pYJ-2 混晶系(Cs_Rb_x)_2Cdl_4の相転移 II
- 31a-M-2 混晶系(Cs_Rb_x)_2CdI_4の相転移
- 28aRB-5 A_3Li(SO_4)_2(A=NH_4,K)の相転移(28aRB 誘電体(TGS・硫安系),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 21pVE-8 Rb_2CdBr_4の相転移の時間依存性(21pVE 誘電体(硫安系),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 21pVE-7 NH_4BZnY_4(B=Li or K,Y=Cl or Br)の育成と相転移(21pVE 誘電体(硫安系),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 25pYE-7 RbLiCdBr_4の相転移(誘電体(酸化物系),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- 25pYE-8 Rb_2MnI_4のβ状態における相転移(誘電体(酸化物系),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- 24aYE-12 BサイトがHでないA_3B(XY_4)_2型誘電体結晶の育成と物性評価(誘電体(水素結合),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- Tl2ZnI4群強誘電体とその混晶系
- 30p-M-4 Rb_2ZnCl_4群強誘電体のc軸方向の強誘電性 : Rb_2CoCl_4
- 5a-B-5 KLiSO_4の低温減の相転移
- 28p-RD-2 溶融法による RbLiSO_4結晶
- 2p-KN-11 N(CH_3)_4基を含む物質の強誘電性の吟味
- 14a-H-12 反強誘電体,フェリ誘電体における抗電界の電界印加速度依存性
- 11p-H-13 新(NH_4)_2SO_4系物質の強誘電性の吟味(II)
- 11p-H-12 新(NH_4)_2SO_4系物質の強誘電性の吟味(I)
- 27a-W-4 強誘電体の交流反転電流特性
- 1a-J-10 {N(CH_3)_4}_2MnCl_4の逐次相転移
- 3a-NB-10 {N(CH_3)_4}_2NiCl_4の強誘電性
- 29a-W-9 RbLiSO_4の166℃転移の再吟味
- 3p-C-12 {N(CH_3)_4}_2XCl_4(X:Co.Zn.Fe.Ni.Mn.Cu)の逐次相転移への圧力効果 III
- 3p-C-5 (NH_4)_2SO_4系強誘電体に見られるフエリ誘電性 II
- 3p-C-4 (NH_4)_2SO_4系強誘電体に見られるフエリ誘電性 I
- 1a GG-5 NaNO_2, AgNa (NO_2)_2の誘電性の吟味
- 1a GG-4 AgNa (NO_2)_2の強弾性
- 4p-N-4 D-E履歴曲線の改良された観測法
- AlとBNの固液反応によるAlN生成条件の解明
- 4a-YF-3 (Rb_xK_)_2ZnI_4混晶系の相転移
- 12p-J-7 Rb_2CoI_4の相転移
- 21aTE-5 混晶系(K_Rb_x)_2ZnBr_4の相転移(誘電体,領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- 30a-A-12 Rb_2XI_4(X=Mn, Fe) の相転移
- 20aXA-6 混晶系(K_Rb_x)_2ZnBr_4の相転移(誘電体,領域10,誘導体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- 23aZD-7 混晶系(Rb_Cs_x)_2MnI_4の相転移(23aZD 誘電体,領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 30pYA-8 Cs_2MnBr_4の相転移II(30pYA 誘電体,領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 19pYM-3 Cs_2MnI_4の相転移II(誘電体,領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 27aYR-12 Cs_2FeI_4の相転移(誘電体,領域10(誘電体, 格子欠陥, X線・粒子線, フォノン物性))
- 5p-X-2 Rb_2ZnCl_4群強誘電体の分極反転II
- 29a-L-7 K_2CoBr_4の強誘電性
- 29a-L-6 K_2CoCl_4の強誘電性 II
- 29a-L-5 K_2CoCl_4の強誘電性 I
- 26p-L-1 Czochralski法によるRbLiSO_4結晶
- 2p-D-3 N(CH_3)_4HSO_4の結晶構造I
- 2p-D-2 N(CH_3)_4HSO_4の強誘電性
- 2a-D-2 (NH_2CH_2COOH)_3・H_2ZnCl_4の強誘電性の吟味
- 27p-ZR-2 K_2ZnBr_4のα-β相転移と熱膨張
- 27a-S-10 K_2ZnBr_4の相転移
- 30aXK-10 混晶系(Rb_Cs_x)_2ZnI_4の相転移(誘電体)(領域10)
- 30aXK-9 強誘電体Rb_2Cdl_4の熱膨張(誘電体)(領域10)
- 19pWE-9 Tl_2CdBr_4とTl_2HgBr_4の誘電特性
- 実験技術 強誘電体の自発電気分極等の測定の極意
- 12p-J-4 K_2ZnCl_4の分極反転II
- 12p-J-2 Rb_2ZnBr_4の分極反転
- 強誘電体の自発電気分極等の測定の極意(実験技術)
- 28aTM-5 硫安系から派生させたA_3B(XY_4)_2型物質の物性測定(28aTM 水素結合系,硫安系・TGS系,その他,領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 26aPS-123 硫安系強誘電体から派生させたA_3B(XY_4)_2型物質の結晶育成と相転移(26aPS 領域10ポスターセッション(誘電体),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 28aTM-8 チョクラルスキー法で育成した単斜晶系K_2ZnI_4の強誘電性と熱膨張(28aTM 水素結合系,硫安系・TGS系,その他,領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 28aTM-7 In_2ZnCl_4の誘電特性(28aTM 水素結合系,硫安系・TGS系,その他,領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 4a-B-11 K_2ZnBr_4,K_2CoBr_4の不整合・整合相転移
- 22pYQ-12 Tl_2CoCl_4の誘電特性II
- 19pWE-10 強誘電体Rb_2CoCl_4の極低温域熱膨張の再吟味
- 22pYQ-11 熱膨張測定で見るRb_2XBr_4 (X=Zn, Co)の相転移
- 22pX-3 Rb_2ZnBr_4とRb_2ZnCl_4の極低温域における熱膨張
- 21aGN-6 チョクラルスキー法で育成した単斜晶系K_2ZnI_4の強誘電性と熱膨張II(21aGN 水素結合系,硫安系・TGS系,その他,領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 5p-F-7 Cs_2CdX_4(X=I、Br)の相転移
- 30a-A-13 K_2ZnCl_4の分極反転I
- 27a-ZC-1 K_2ZnCl_4の自発分極
- 27p-ZR-6 K_2ZnCl_4とK_2CoCl_4の溶融法結晶の相転移
- 28a-A-7 Rb_2CdI_4の強誘電性II
- 4a-B-12 K_2CoBr_4,K_2ZnBr_4の低温領域における誘電性
- 30p-L-10 K_2ZnBr_4の強誘電性
- 6a-X-6 BaTiO_3-KNbO_3系の誘電分散
- 5p-X-1 A_2XY_4(A=Rb, K ; X=Zn, Co ; Y=Cl, Br)型強誘電体の熱膨張
- 28a-A-4 強誘電体Rb_2ZnCl_4の4Kまでの熱膨張
- 29p-YD-9 強誘電体 Rb_2ZnBr_4 の 4Kまでの熱膨張