高いキュリー温度を有する強誘電体エピタキシャル薄膜の圧電特性

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る

• The ferroelectric and piezoelectric properties of Pb(Yb1/2Nb1/2)O3-PbTiO3 (PYbN-PT) and BiScO3-PbTiO3 (BiScO3-PT) epitaxial films were investigated. The PYbN-PT(50/50) and BiScO3-PT(50/50) films showed a curie temperature near 380 and 450 °C, respectively. For 1 μm-thick PYbN-PT epitaxial films, the highest remanent polarization (29 μC/cm2) and effective piezoelectric coefficient e31,f (-14 C/m2) were observed in the (001) PYbN-PT (50/50) film. A 3 μm-thick (001) PYbN-PT (50/50) film exhibited a higher e31,f coefficient of -19 C/m2. (001) BiScO3-PT epitaxial films also had well saturated hysteresis loops with a remanent polarization of 36 μC/cm2. The e31,f piezoelectric coefficient was -9 C/m2. The obtained piezoelectric properties of BiScO3-PT films were comparable to that of Pb(Zr, Ti)O3 or relaxor ferroelectric-PbTiO3 films.

• 社団法人 電気学会の論文
• 2004-04-01

著者

• 吉村 武

  大阪府立大学大学院工学研究科電子・数物系専攻電子物理工学分野

• 吉村 武

  大阪府立大学大学院工学研究科機能物質科学分野

• TROLIER-MCKINSTRY Susan

  Materials Research Institute, The Pennsylvania State University

• Trolier-mckinstry Susan

  Materials Research Institute The Pennsylvania State University

• 吉村 武

  大阪府立大学大学院工学研究科

関連論文

• 磁性強誘電体のマルチフェロイック物性
• YMnO_3/Y_2O_3/SiエピタキシャルMFIS構造の誘電特性
• RMn0_3(R: rare earth element)/Y_2O_3/SiのC-V特性の解析
• RMnO_3(R:rare earth element)/Y_2O_3/SiのC-V特性の解析
• 高いキュリー温度を有する強誘電体エピタキシャル薄膜の圧電特性
• 圧電体薄膜のMEMS応用
• 誘電泳動により作製したTiO2ナノチューブ電界効果トランジスタの電気伝導
• 大気圧非平衡酸窒素プラズマを用いたZnO薄膜の低温形成とその成長形態
• 有機強誘電体を用いた磁性半導体Si:Ce薄膜の電界効果

スポンサーリンク