テトラエチルシランを原料とするMOCVD法で成長したSiC薄膜の結晶構造

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概要

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• It was proved that the crystalline SiC thin films were grown on silicon substrates by thermal CVD process using the liquid source, tetraethylsilane. The film was investigated by XRD and TEM methods. It was clarified that the film consisted of polycrystalline 3C-SiC and included stacking faults.

• 一般社団法人 表面技術協会の論文
• 2003-05-01

著者

• 津田 大

  Osaka Prefecture University

• 北原 邦紀

  Shimane University

• 久保 直紀

  Department of Electronic and Control Systems Engineering, Shimane University

• 朝比奈 秀一

  Shimane Institute for Industrial Technology

• 金山 信幸

  Shimane Institute for Industrial Technology

• 森谷 明弘

  Department of Electronic and Control Systems Engineering, Shimane University

• 久保 直紀

  Shimane University

• 森谷 明弘

  Shimane University

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