Formation of SiGe Source/Drain Using Ge Implantation for Floating-Body Effect Resistant SOI MOSFETs

スポンサーリンク

概要

論文の詳細を見る
1996-02-01

著者

関連論文

Analysis of Si-Ge Source Structure in 0.15 μm SOI MOSFETs Using Two-Dimensional Device Simulation
Formation of SiGe Source/Drain Using Ge Implantation for Floating-Body Effect Resistant SOI MOSFETs
Analysis of Si-Ge Source Structure in 0.15μm SOI MOSFETs Using Two-Dimensional Device Simulation
Formation of SiGe Source/Drain Using Ge Implantation for Floating-Body Effect Resistant SOI MOSFETs

スポンサーリンク