強誘電体メモリ(FRAM)と薄膜材料技術

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 電気学会の論文

著者

• 伊藤 康幸

  シャープ(株)超lsi開発研究所

関連論文

• 減圧アニール法によるゾルゲルSrBi_2Ta_2O_9薄膜の低温形成
• 強誘電体メモリ(FRAM)と薄膜材料技術

スポンサーリンク