光プロセスとマイクロマシン I.エキシマレーザによるフッ素樹脂の光化学的表面改質
スポンサーリンク
概要
著者
関連論文
- エキシマランプ/ArFエキシマレーザーによるポーラスPTFEフィルム内部の親水性化
- ポリイミドフィルム表面の撥水性化
- 紫外光照射によるポリカーボネートのフッ素化
- エキシマレーザーによるSiCのレジストレスエッチング[IV] -表面励起光依存性-
- エキシマレーザーによるSiCのレジストレスエッチング[II] -エッチヤント圧力依存性-
- 透明SiO_2膜形成とアニールによる屈折率制御
- 3C-SiC基板のレーザーエッチング -反応生成物とエッチング効果-
- 酸素引き抜き反応と保護膜形成反応を同時進行させたSiO_2のレジストレス光エッチング
- 逐次酸化還元による透明SiO_2の室温形成
- SiO_2膜形成を目的としたSi表面の光化学的クリーニング
- 酸素引き抜き反応によるSiO_2の光エッチング
- 単結晶3C-SiCのレジストレスパターンエッチング
- 透明SiO_2膜の室温形成 -分解光源の違いによる膜の電気的特性の比較-
- エキシマレーザーによる多孔質PTFEの親水性化
- ポリマーのレーザーめっき
- ポリイミドフィルム上への銅回路パターンの直接形成
- ビームホモジナイザーを用いたテフロンの表面改質と置換基濃度コントロール
- 接着性を目的としたフッ素樹脂の連続表面改質装置の開発
- ArFエキシマレーザーによるチタンの光化学的表面改質
- 真空紫外光によるポリイミドの光化学的表面改質
- ArFエキシマレーザを用いたテフロンの大面積表面改質装置の開発
- テフロンの表面改質における脱フッ素原子B, Al, H, の役割
- 高分子材料表面への金属成長
- エキシマレーザーによるSiCのレジストレスエッチング[III] -VUV光に対するエッチャントガスの吸光係数と分解量-
- CHCIF2を用いた熱酸化シリコン膜のドライエッチング[II]
- エキシマレーザーによるSiCのレジストレスエッチング -VUVランプ併用照射によるエッチング効率の改善-
- エキシマレーザーによるテフロン表面へのSi膜の室温形成
- エキシマレーザによる光応用加工(次世代リソグラフィ技術)
- 透明SiO_2膜の室温成長とコンタクトホール同時形成
- 研究には,どんなレーザーが必要か (特集 レーザー科学機器および光学部品)
- NF_3/O_2の光化学反応の不思議
- テフロンはこれまで何故接着出来なかったか
- 光プロセスとマイクロマシン I.エキシマレーザによるフッ素樹脂の光化学的表面改質
- エキシマレーザーによる歯科用金銀パラジウム合金の表面改質