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Yonsei Univ. Seoul Kor | 論文
- 1p-YE-11 Si(001)表面上Ag吸着系の表面電子構造の研究III : Ag4d準位の表面積構造依存性
- 7a-PS-19 角度分解光電子分光法によるSi(001)1x2-Ge表面の電子構造研究
- 5a-H-1 Si(001)表面上Ag吸着系の表面電子構造の研究II : Si(001)c(6x2)-Ag表面
- 31p-F-4 Si(001)2×1表面上のC_2H_2, C_2H_4の吸着 : -NEXAFSと光電子分光を用いた研究
- 28aYQ-12 Si(100)上Biナノワイヤの表面構造と電子状態
- 28aYQ-6 Si(100)-Pbの表面構造と電子状態
- Analysis of Optical Force and Optical Potential Well for Trapping Particles near a Light-Illuminated Slit Using a Finite-Difference Time-Domain Method
- 27pY-12 Si(111)-3x2-Ca表面の電子状態
- 28a-Q-9 Si(111)√×√-Ag表面上におけるC-60分子層の構造
- 28p-YR-2 Pb吸着Si(111)表面上の整合-不整合転移における電子状態の変化と電気伝導
- 29a-PS-16 Si(001)2×l表面上Ag吸着系の表面電子構造の研究I : Si(001)2×3-Ag表面
- 30a-PS-14 Ge/Si(001)のSTM観察I : 高温吸着(≧350℃)
- 30a-PS-13 Ge/Si(001)のSTM観察II : 室温吸着
- High Resolution Photoemission Study of Low-temperature Oxidation on the Si(001) Surface
- Reverse Transformation (ε→γ) Temperatures in Fe-15% Mn-5% Co-5% Cr-X% Si Shape Memory Alloys
- Characterization of the Co-Silicide Penetration Depth into the Junction Area
- Low-Threshold-Current and Single-Mode Surface-Emitting Laser Buried in Amorphous GaAs
- Low Threshold Current Density Surface-Emitting Lasers Buried by Amorphous GaAs
- Coupled-Field-Analysis and Dynamic Improvement of Ultraslim Optical Pickup Actuator
- Mechanical Filter on Actuator for System Stability of 9.5mm Drive