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Synchrotron Radiation Research Center Japan Atomic Energy Agency | 論文
- Real-time monitoring of initial oxidation of Si(110)-16×2 surface by Si 2p Photoemission spectroscopy
- Real-Time Observation of Initial Thermal Oxidation on Si(110)-16×2 Surfaces by O1s Photoemission Spectroscopy Using Synchrotron Radiation
- 結晶成長の物理II : 理想成長からのずれ : 界面張力の効果
- 結晶成長の物理III : 熱伝導に支配された樹枝状結晶成長
- キラリティ選別のモデル : 有機分子を中心として(結晶成長とキラリティ)
- 24aWX-7 結晶成長におけるキラル対称性の破れ : ARSモデル(24aWX 結晶成長,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 25pWS-5 SiC(0001)基板上に生成したグラフェン膜のX線ラウエ関数による層数決定(25pWS 領域9,領域7合同 グラフェン,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 24aRA-5 単層カーボンナノチューブバンドルの超高速励起子エネルギー移動(24aRA ナノチューブ2,領域7(分子性固体・有機導体))
- 20pXA-10 ヘテロエピタキシャル系における吸着物結晶の成長様式(II)(20pXA 結晶成長,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 24pPSA-2 長距離相互作用する粒子の1次元核生成(ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 21pXK-2 エピタキシャル系における核生成初期過程(結晶成長,表面局所光学現象,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 19pTG-8 エピタキシャル系における転位を含む吸着層上での核生成(結晶成長,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 02aC07 ヘテロエピタキシャル系における吸着物結晶のミスフィット転位を含む平衡状態(結晶成長理論(2),第36回結晶成長国内会議)
- 24pYH-9 ヘテロエピタキシャル系における吸着物結晶の成長様式(24pYH 結晶成長,微粒子,クラスタ,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 20pXF-1 エピタキシャル系におけるミスフィット転位(III)(結晶成長,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 17pC10 ミスフィット転位間の弾性相互作用(I)(結晶成長理論,第35回結晶成長国内会議)
- 17pC11 シリコン(001)微斜面でのステップ束の2次元パターンと成長則(結晶成長理論,第35回結晶成長国内会議)
- 27aXC-9 エピタキシャル系におけるミスフィット転位(II)(結晶成長・微粒子,領域9(表面・界面, 結晶成長))
- 26aC04 エピタキシャル系における格子不整合と転位(結晶成長基礎,第34回結晶成長国内会議)
- 12pXG-10 エピタキシャル系におけるミスフィット転位 (I)(結晶成長, 領域 9)
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