スポンサーリンク
RCA基礎研究所 | 論文
- 6a-M-14 HgCr_2Se_4の光性質
- 6a-M-1 CuCr_2S_Cl_xの電気的及び磁気的性質
- 3p-TD-2 HgCr_2-xInxSe_4の結晶成長及び物性
- 11p-P-1 HgCr_2Se_4の磁気的及び電気的性質
- 11a-P-8 磁性体の臨界現象
- 5p-A-1 単結晶Biのself-magnetoresistance効果
- 12p-Q-2 CdCr_2S_4 の光ルミネッセンスの測定
- 5p-G-9 CdCr_2_xInxS_4 単結晶の気相成長
- 4p-K-3 Ag-CdCr_2Se_4(In doped)junctionの磁場効果
- 1)1978年SID国際シンポジウム(画像表示研究会(第33回))
- 1978年SID国際シンポジウム
- 弾性表面波遅延素子を用いたFM復調器(技術談話室)
- 30a-N-8 n型CdCr_2S_4の表面高抵抗層とその磁場効果
- 3p-TC-12 CdCr_2Se_4のP-N接合のMagnetocapacitance効果
- 15a-A-3 FMR条件下の強磁性半導体の輸送現象
- Surface Charge WaveのParametric増巾 : 半導体(不安定性)
- n-InSbのMOS面に沿うSurface Charge Waveの非線型効果 : 半導体(不安定性)
- 4a-H-6 横磁場中のn-InSbMOS面に沿う非可逆表面電荷波
- Transverse Break DownによるGrowing Microwave Instability : 半導体 : 理論と不安定性
- GENERATION RATEの変化によるINSTABILITY : 半導体 : 理論と不安定性