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Ntt フォトニクス研 | 論文
- BCI-1-8 超高速・高出力単一走行キャリア・フォトダイオード(UTC-PD)技術の最新動向(BCI-1.光通信における最新極限技術,依頼シンポジウム,ソサイエティ企画)
- BCI-1-8 超高速・高出力単一走行キャリア・フォトダイオード(UTC-PD)技術の最新動向(BCI-1.光通信における最新極限技術,ソサイエティ企画)
- ミリ波帯光・電子デバイスとその無線・センシングシステムへの応用(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
- InP系HEMTの信頼性評価 : ソース抵抗及びドレイン抵抗の変動
- 有機ホウ素化合物の二光子吸収特性を利用した積層導波路型光メモリ(光記録技術,一般)
- C-4-25 UTC-PDと半導体MZ変調器を集積したPD-MZ光ゲート素子の提案と高速光ゲート動作の実現(C-4. レーザ・量子エレクトロニクス(変調器・受光器), エレクトロニクス1)
- 有機ホウ素ポリマーの二光子吸収型多層光メモリへの応用
- シリアル-パラレル変換を用いた40Gbit/s光ラベル認識とセルフルーティング(超高速・大容量光伝送/処理及びデバイス技術,一般)
- 0.15μmデュアルゲートAlGaN/GaN HEMTミキサー(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- n^+GaN/undoped GaN構造上に作成された表面弾性波デバイス特性(特別セッションテーマ: GaN電子デバイスはどこまで特性を伸ばすのか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- 短ゲートAlGaN/GaN HEMTのDC、RF特性と基板結晶性との相関(特別セッションテーマ: GaN電子デバイスはどこまで特性を伸ばすのか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- C-10-20 サファイア基板上GaNのSAW特性(C-10.電子デバイス,エレクトロニクス2)
- C-10-11 AlGaN/GaNデュアルゲートHEMTミキサーのUWB応用(C-10. 電子デバイス, エレクトロニクス2)
- P2-17 GaN SAWデバイスにおけるサイドゲート効果(ポスターセッション2(概要講演))
- InP HFET高信頼化の検討(光デバイス・部品の信頼性)
- 共鳴トンネル3値量子化回路を用いた超高速アナログ・デジタル変換器
- フォトニックMPLSルータ光スイッチ機能部の高密度・高信頼化技術(フォトニックネットワークシステム/制御,GMPLS,一般)
- フォトニックMPLSルータ光スイッチ機能部の高密度・高信頼化技術(フォトニックネットワークシステム/制御, GMPLS, 一般)
- B-10-78 40Gbit/s NRZ-DQPSK信号のDGD耐力改善と50GHz間隔ROADMノード通過特性(B-10.光通信システムB(光通信),一般セッション)
- 43Gbit/s DQPSK光受信器用2チャンネルInP HBT差動利得制御トランスインピーダンス増幅器IC(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
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