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Nec基礎研究所 | 論文
- 半導体B(シリコン以外)
- 第16回IEEE半導体レーザ国際会議
- 5p-T-3 クラスタ固体における伝導電子の挙動
- 6p-D-5 (Mol@A)_xC_物質の構造と物性
- 炭素系クラスタ物質
- フラーレン(C60およびナノチューブ)研究の展開
- 31p-D-5 アルカリ金属C60伝導体における電子相関 : 3次元A3C60相の異常性と低次元AlC60相のSDW転移
- 30a-C-1 カーボン・ナノチューブの生成機構と構造
- ハイドライドVPE,MOVPEによるGaN ELO成長(III族窒化物半導体の結晶成長はどこまで進んだか)
- 29p-ZB-1 回折XAFS-"DAFS"-
- SR-X線で見た半導体界面の再配列構造
- 5P-E-4 Molecular Beam Deposition SiO_2/Si(111)の再配列構造
- 26a-P-9 a-Si/Si(111)-7x7,a-Si/Ge_Si_(111)-5x5 の界面超構造
- 1PA025 細胞性粘菌集合期に見られる多細胞環状構造の形成機構の研究
- 単一磁束量子を情報担体とする超高速論理回路
- SC-5-3 単一磁束量子回路を用いた大容量パケットスイッチ
- 内部高速化SFQ Batcher-Banyan網の提案と性能評価
- SFQ技術を用いた超高速大容量交換システムの提案
- SFQパルスアービタ回路の動作実験
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