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Nagoya Inst. Technol. Nagoya Jpn | 論文
- Si基板上にSeS_2を用いて接着した高品質GaAs薄膜の作製とそのデバイス応用
- Quadrupole Ordering in Clathrate Compound Ce_3Pd_Si_6(Condensed matter: electronic structure and electrical, magnetic, and optical properties)
- Boron and phosphorus electronic doping of amorphous carbon by pulsed laser deposition using graphite target
- Studies on transparent semiconducting cuI films deposited by XeCl excimer laser and fabrication of p-CuI|n-TiO2 solar cells
- Structural and electrical properties aof amorphous Carbon Nitride films from camphoric Carbon
- Diamond-like Carbon thin films deposited in ambient Helium gas : structural and electrical properties
- 20aYH-12 AFMで微細加工した2次元電子系におけるWeiss振動
- 18pYH-2 多重細線ゲートの電気容量測定によるエッジチャネルの空間分布
- 17pYG-10 量子ホール系でのアンチドット超格子の磁気電気容量
- 28pYS-6 2次元電子系の磁気キャパシタンスとテラヘルツ分光
- 28pTC-7 硬さの相転移におけるネットワークガラスのダイナミクス
- 27pTC-12 微細ゲートを用いた電気容量測定によるエッジチャネルの空間分布
- 27pTC-11 量子ホール状態における二層二次元電子系の磁気電気容量
- 27pTB-14 縦型二重ドットにおけるドット間結合への光励起効果
- 磁気電子フォーカス効果で見た2次元電子系への面内磁場による影響
- 22pYP-11 Ge_xSe_ガラスの光学的振動モードラマンスペクトルの温度依存性
- 23pSA-11 二層二次元電子系の磁気電気容量
- 25pL-9 アモルファスSi/SiO_2多層膜のa-Siのラマン散乱
- 100mm径サファイア基板上に成長した高Al組成AlGaN/GaN HEMTのDC特性評価(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- MOVPE法による100mm径サファイア基板上への高Al組成Al_xGa_N/GaN HEMT構造の成長とその特性評価(窒化物及び混晶半導体デバイス)