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NTT通信エネルギー研究所 | 論文
- ED2000-128 / SDM2000-110 / ICD2000-64 リミッタアンプ回路混載3.5 Gbps CMOS/SIMOX トランシーバ
- ED2000-128 / SDM2000-110 / ICD2000-64 リミッタアンプ回路混載3.5Gbps CMOS/SIMOXトランシーバ
- 燃料電池/蓄電池ハイブリッド電源システムの構築に向けたニッケル水素蓄電池の特性評価(電池技術関連,一般)
- 世界最大容量14Tbit/sの光通信を光ファイバ1本で実現 : ハイビジョン映画約140本分を1秒で転送可能に(ニュース解説)
- ファイバレーザのEOSプロービングシステムへの適用
- 光電気融合技術による超高速光アイパタン測定
- 10-80 Gb/s光電気融合型パルスパターン発生とその高速電子デバイス評価への応用
- 導波路型p-i-nPD搭載光電気変換プローブの低分散化
- 低温成長InGaAs/InAlAs MQW MSM-PDにより構成された差動型フォトコンダクティブ・アンドゲート
- EOサンプリングの高感度化の検討
- 110GHz動作マッシュルーム構造導波路型pinフォトダイオード
- YAGレ-ザによる超高速集積回路の外部EOサンプリング (超高速光エレクトロニクスの最前線) -- (超高速光計測・光検出)
- C-3-138 低熱膨張フィルム光導波路を用いた光電気 Chip on film 実装技術
- C-3-62 低熱膨張ポリイミドフィルム光導波路
- Chip on Film 光電気実装技術の検討 : 850nm帯用ポリイミドマルチモード光導波路フィルムの基本検討
- C-3-27 Chip on Film光電気実装技術の提案
- C-3-7 並列光インタコネクション(ParaBIT)モジュール用光結合部品への平板マイクロレンズの適用検討
- 燃料電池セルの劣化診断
- 燃料電池用改質触媒の反応速度パラメータによる劣化評価
- C-12-25 リファレンス電圧を用いない単相小振幅CMOS入力バッファ回路の評価