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NTT物性基礎研 | 論文
- 20aYF-5 結合3重量子ドットにおける2電子・3電子状熊の励起スペクトル(20aYF 量子ドット・量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 25aXG-1 InGaAs量子井戸長方形ループ配列における異方的なスピン干渉効果(半導体スピン物性・量子ドット,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 27aTE-6 Si(111)面(1x1)-(7x7)構造変化に関する微斜面効果II : modified RSOS-I模型による密度行列繰り込み群計算(27aTE 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 23pXB-6 吸着子による熱的なステップ端上段/下段デコレーション : 変形RSOS-Ising結合模型のモンテカルロ・シミュレーション(23pXB 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
- カーボンナノチューブの基礎と応用
- 20pGS-6 金属型カーボンナノチューブのGモードのコヒーレントフォノンの観測(20pGS ナノチューブ,領域7(分子性固体・有機導体))
- 21aHW-10 分数量子ホール領域の円偏光発光スペクトルの温度依存性(21aHW 量子井戸・超格子・光応答,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 21aHV-2 静電結合した並列2重量子ドットにおける近藤効果(21aHV 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 20pHV-11 熱的偏極核スピンによる抵抗検出NMRスペクトルの測定(20pHV 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 20pHV-6 近接場局所光照射による量子ホール端状態の観測(20pHV 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 20pHV-1 Kerr顕微鏡によるv=1量子ホール状態の局所占有数と電流分布(20pHV 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 28aPS-28 EuNi_2(Sl_Ge_x)_2(x=0.75, 0)の高分解能4d4f共鳴光電子分光
- シリコンカーバイド上のグラフェン成長 (特集 材料基礎研究最前線)
- 単結晶グラフェン基板の創製に向けた SiC 上エピタキシャル少数層グラフェンの層数解析
- 26pPSB-25 傾斜SiC上グラフェンの空間層厚制御と電子状態(領域9ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 27pYE-4 SiC(0001)上のC原子の吸着構造とその安定性(グラフェン電子物性(形成と評価),領域7,分子性固体・有機導体)
- 25pXD-8 ν=1/2二層系における量子ホール状態とウィグナー結晶状態の競合 : 層間トンネリングの効果(量子ホール効果,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 25pXD-6 量子ホール強磁性状態における乱雑ポテンシャルによるスピン波の崩壊(量子ホール効果,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 25pXD-5 量子ホール2次元電子系における光学遷移の占有数依存性(量子ホール効果,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 28aTX-3 v=1量子ホール状態近傍における量子ホール電子系のスピンダイナミクス(28aTX 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
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