スポンサーリンク
NTT境界研 | 論文
- 30p-APS-27 La_Sr_xCu_Zn_yO_4の磁性
- 27a-ZL-12 銅酸化物超伝導体の2次元反強磁性スピン揺動
- YBCO薄膜及び段差接合におけるフォトドープ効果
- La_Sr_xCuO_4の混合状態のホール効果II
- 28p-L-8 La_Sr_xCuO_4の混合状態のホール効果
- フリ-スペ-ス光スイッチ構成技術 (光スイッチング技術の研究)
- 12p-PSB-65 La_Sr_xCuO_4単結晶のラマン散乱III
- 27p-PS-46 La_Sr_xCuO_4単結晶のラマン散乱II : マグノンスペクトルのposition依存性
- 30p-N-7 顕微ラマン散乱によるYBCOとBSCCOのフォノンの温度依存性
- 28p-PSA-34 Bi-Sr-Ca-Cu-O単結晶の顕微ラマン散乱
- 30a-A-8 Pr_Ce_xCuO_4のHall効果の温度変化 : 近藤散乱による説明の試み
- 28p-APS-79 スカルメルト法によって育成されたLSCO単結晶の異方性
- poly-Si MOS FETの弱局在
- poly-Si MOSFETの広範囲ホッピングにおける負の磁気抵抗
- poly-Si MOS FETの弱局在
- poly-Si MOSFETの広範囲ホッピングにおける負の磁気抵抗
- 30p-YN-9 高易動度 Poly-Si TFT の電子局在
- 28p-L-12 多結晶Si-薄膜トランジスターのアンダーソン局在
- 28p-L-12 多結晶Si-薄膜トランジスターのアンダーソン局在
- 12a-K-13 多結晶Si薄膜トランジスタの強局在