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Institute of Multidisciplinary Research for advanced Materials, Tohoku University | 論文
- 30pXD-11 収束電子回折法による結晶構造精密化への並列計算の導入
- 19aPS-55 収束電子回折法によるLa_Sr_Mn_2O_7 (x=0.525)電荷・軌道秩序相の電子密度分布の解析 II(19aPS 領域8ポスターセッション(低温),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 24aYK-8 収束電子回折法によるLaGa_Mg_xO_の空間群の研究(24aYK X線・粒子線(電子線),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 24aPS-26 収束電子回折法によるLa_Sr_Mn_2O_7(x=0.525)電荷・軌道秩序相の電子密度分布の解析(24aPS 領域8ポスターセッション(低温),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 27aPS-49 収束電子回折法によるLa_Sr_Mn_2O_7の構造の研究(27aPS 領域8ポスターセッション(低温),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- An analysis of crystal structure of Ca-deficient oxonitridoaluminosilicate, Ca_Al_Si_N_O_
- Eu,Y置換Ca2SnO4のサイト選択性と蛍光発光特性 (特集 機能元素のナノ材料科学)
- Na蒸気を利用したNaフラックス法によるGaN単結晶の育成
- Naフラックス法を用いたEuドープGaNの合成および光学特性評価
- フラーレンとシリコンを用いたNaプラックス法によるβ-SiC粉末の低温合成
- 01aA08 Na蒸気を用いたNaフラックス法による窒化ガリウム単結晶のM面への種結晶成長(半導体バルク(2),第36回結晶成長国内会議)
- ワイドギャップ半導体基板の新展開
- 多元系光機能材料の新展開 : 太陽電池と発光材料
- 多元系窒化物および窒化物関連の新規化合物
- 窒化ガリウム単結晶育成技術
- Time Dependence of the Growth Morphology of GaN Single Crystals Prepared in a Na-Ga Melt
- Dissolution and Recrystallization of GaN in Molten Na
- Influence of 3d-Transition-Metal Additives on Single Crystal Growth of GaN by the Na Flux Method
- GaN単結晶の育成 (特集 アドバンスド素材プロセシング--ナノからマクロまで)
- 30aTC-12 高エネルギー電子線とフォトニック結晶との相互作用に関する実験IX(30aTC 領域5,領域1合同 フォトニック結晶,領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
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