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Institute for Photonics-Electronics Convergence System Technology:Photonics Electronics Technology Research Association | 論文
- 1.3ミクロン帯pドープ量子ドットレーザ : 20〜90℃での温度安定な低駆動電流10Gb/s直接変調動作(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般)
- MOCVD法によるGaAs基板上InAs量子ドットレーザの1.3μm帯室温連続発振(半導体レーザ関連技術,及び一般)
- 量子ドット光増幅器と光スイッチ
- C-3-68 MOS型Si光変調器の検討(C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- 半導体量子ドットを用いた単一光子発生技術の展開
- 1.3ミクロン帯pドープ量子ドットレーザ : 20〜90℃での温度安定な低駆動電流10Gb/s直接変調動作(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般)
- C-3-56 スローライト型Si変調器の1nmの波長範囲での1V_10Gb/s動作(光スイッチ・光変調器(1),C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- C-3-55 側面格子型Si光変調器の10GHz変調動作(光スイッチ・光変調器(1),C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- C-4-6 1.3-μm帯AlGaInAs MQW-SOA小型モジュールの低消費電力動作(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- CI-3-5 光デバイスファウンドリーの現状と展望(CI-3.半導体製造技術の現状と今後の展望,依頼シンポジウム,ソサイエティ企画)
- LQE2000-15 InGaAs/GaAs 自己形成量子ドットレーザーの利得測定
- CK-1-6 量子ドットを用いた単一光子発生素子の展望(CK-1.応用の幅を広げるレーザ技術,特別企画,ソサイエティ企画)
- CK-1-6 量子ドットを用いた単一光子発生素子の展望(CK-1.応用の幅を広げるレーザ技術,特別企画,ソサイエティ企画)
- 光インターコネクションに向けたシリコンフォトニクスデバイス集積 (特集 進化するシリコンフォトニクス)
- CI-1-3 光配線応用に向けた光電子融合システム(CI-1.ナノフォトニクス技術のアクションアイテムズ,依頼シンポジウム,シンポジウムセッション)
- カスケード接続リング共振器を用いたスローライトSi変調器(光パッシブコンポネント(フィルタ,コネクタ,MEMS),シリコンフォトニクス,光ファイバ,一般)
- C-3-53 光源・光変調器・受光器を単一シリコン基板上に集積した光電子融合システム(シリコンフォトニクス,C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- C-3-47 Projection MOS構造を有するSi光変調器の解析(シリコンフォトニクス,C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- C-3-21 チップ間光インターコネクトへ向けたSi基板上高密度集積光源(光インターコネクション,C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- C-3-36 シリコンフォトニクス集積に向けたCMOS技術(C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
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