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Graduate school of Engineering Osaka University | 論文
- 376. statistical Analysis of Random Mutation on the Catalase Gene
- Improved Methods for the Preparation of N^6-(2-Carboxyethyl)-NAD and Poly(Ethylene Glycol)-Bound NAD(H)
- Relationship between Coercivity and Microstructural Changes During DR Treatment in the HDDR-processed Nd-Fe-Co-B Alloy
- Boron-Incorporated Amorphous Carbon Films Deposited by Pulsed Laser Deposition : Semiconductors
- Effect of Radio Frequency Power on the Properties of Hydrogenated Amorphous Carbon Films Grown by Radio Frequency Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition
- Theoretical Studies on Hole Transport and the Effective Hall Factor in Cubic Phase of p-Type GaN
- Thermal Stress Relaxation in GaAs Layer on New Thin Si Layer over Porous Si Substrate Grown by Metalorganic Chemical Vapor Deposition
- A-20-14 特徴点追跡を用いた動き補償フレーム補間手法(A-20. スマートインフォメディアシステム,一般セッション)
- ライフサイクル・シナリオと幾何情報に基づいたモジュール化設計手法の提案(第18回設計工学・システム部門講演会)
- 26aYK-1 Zr基バルクアモルファス合金中の過剰自由体積(26aYK 格子欠陥・ナノ構造(アモルファス・転位・シミュレーション),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 24aZD-4 Cu-Sn系金属間化合物における格子欠陥の第一原理計算(24aZD 格子欠陥・ナノ構造(金属・半導体),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 24aZD-5 陽電子消滅同時計数ドップラー幅広がり法によるNi_Ti_合金の相変態前駆現象その場観察(24aZD 格子欠陥・ナノ構造(金属・半導体),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- Sn-3.0Ag-0.5Cu鉛フリーはんだと銅との界面反応に及ぼす銅内部欠陥の影響
- 27pXD-6 Pd-Ag合金の水素吸蔵時の空孔形成現象(27pXD 格子欠陥・ナノ構造(金属・電子状態・シミュレーション),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 27pXD-4 Sb添加Cu薄膜中の格子欠陥の陽電子消滅法による同定(27pXD 格子欠陥・ナノ構造(金属・電子状態・シミュレーション),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- Mechanism of Carrier Mobility Degradation Induced by Crystallization of HfO_2 Gate Dielectrics
- Spin-Carrying Naphthalenediimide and Perylenediimide Derivatives
- 原子分解能を持つ非接触原子間力顕微鏡の開発研究
- 最近の研究と技術 単原子ペンによるナノパターンニング
- 交換型垂直原子操作を用いたアトムペン方式の原子埋め込み文字の研究
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