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Faculty Of Engineering Himeji Institute Of Technology | 論文
- 30aTB-7 多価イオン-固体表面衝突における多重コインシデンス実験 : 装置開発と予備実験結果(30aTB 原子・分子,領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
- 20aYA-4 ポテンシャルスパッタリングによる金属表面からのH^+放出(原子・分子,領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
- 26pYA-10 低速多価イオン衝突によるAl表面からの二次イオン放出過程(原子・分子,領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
- 27aB08 多価イオンビームによるワイドギャップ半導体のスパッタリング過程(窒化物(3),第34回結晶成長国内会議)
- 15pTE-6 多価イオン衝突による GaN 表面からの二次イオン放出過程(原子 分子, 領域 1)
- 14pTE-6 e^-+CF_4 における解離イオンの運動量画像分光(原子・分子, 領域 1)
- 29pXN-13 低エネルギー多価イオン衝突による化合物半導体表面からの二次イオン放出過程(原子・分子)(領域1)
- 28aXD-2 多価イオンと Al および Al_2O_3 表面との相互作用
- 17aTA-8 エネルギーゲインで選別されたArCH_4 /CF_4 /N_2電荷移行衝突(q=8-12)における解離イオンの三次元運動量画像分光
- 17aTA-7 He^+/Ne^+/Ar^++CF_4衝突における発光断面積の測定
- 30aZF-6 多価イオン : 分子衝突における解離イオンの画像分光
- 22aYJ-6 反応熱を指定した多価イオン-分子衝突におけるTOF実験
- 25pB-8 永久磁石を用いた小型多価イオン源の開発
- 28p-ZC-3 イオンビーム・固体表面相互作用の分光学的研究II
- 2a-L-10 H^-イオンと希ガス原子の衝突による水素原子の発光断面積
- 1p-L-11 イオンビーム・固体表面相互作用の分光学的研究I
- 8a-YP-2 Ar^++H_2衝突における発光断面積
- 31a-YK-4 低エネルギーHe^+ + CH_4衝突における発光断面積III
- 31a-YK-3 低エネルギーHe^+ + H_2衝突における発光断面積
- Characterization of Crystalline Inclusions in Cast Bulk Zr-Cu-Ni-Al Glassy Alloy
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