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Department Of Material Physics Osaka University | 論文
- 高スピン偏極率を有するホイスラー合金/MgO界面の理論設計(スピンエレクトロニクス)
- 22aPS-132 ハーフメタル/絶縁体ヘテロ構造における磁気抵抗の第一原理計算(領域4ポスターセッション,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 19pTA-13 Co_2CrAl/GaAsヘテロ構造におけるトンネル磁気抵抗の第一原理計算(磁性半導体,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- Low-Temperature Magnetization Study on the Phase IV Ordering in Ce_xLa_B_6 under [111] Uniaxial Pressures(Condensed Matter : Electronic Structure, Electrical, Magnetic and Optical Properties)
- 26pPSA-8 ペロブスカイト型化合物Mn_3GaCの中間磁気相における電子状態計算(II)
- 29p-PSB-14 ペロブスカイト型化合物 Mn_3GaC の中間磁気相における電子状態計算
- 25a-PS-99 ペロブスカイト型化合物Mn_3GaC及び関連物質の磁気秩序間相転移
- 24aZC-5 完全スピン偏極ホイスラー合金/半導体界面の第一原理計算(磁性半導体,領域4(半導体, メゾスコピック系・局在))
- 20pXA-10 ヘテロエピタキシャル系における吸着物結晶の成長様式(II)(20pXA 結晶成長,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 24pPSA-2 長距離相互作用する粒子の1次元核生成(ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 21pXK-2 エピタキシャル系における核生成初期過程(結晶成長,表面局所光学現象,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 19pTG-8 エピタキシャル系における転位を含む吸着層上での核生成(結晶成長,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 02aC07 ヘテロエピタキシャル系における吸着物結晶のミスフィット転位を含む平衡状態(結晶成長理論(2),第36回結晶成長国内会議)
- 24pYH-9 ヘテロエピタキシャル系における吸着物結晶の成長様式(24pYH 結晶成長,微粒子,クラスタ,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 20pXF-1 エピタキシャル系におけるミスフィット転位(III)(結晶成長,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 17pC10 ミスフィット転位間の弾性相互作用(I)(結晶成長理論,第35回結晶成長国内会議)
- 17pC11 シリコン(001)微斜面でのステップ束の2次元パターンと成長則(結晶成長理論,第35回結晶成長国内会議)
- 27aXC-9 エピタキシャル系におけるミスフィット転位(II)(結晶成長・微粒子,領域9(表面・界面, 結晶成長))
- Angle-resolved Magnetization Measurements on Antiferroquadrupolar Ordering System PrPb_3 : Evidence for Anisotropic Quadrupolar Interaction(Condensed Matter : Electronic Structure, Electrical, Magnetic and Optical Properties)
- Antiferro-Quadrupolar Ordering and Multipole Interactions in PrPb_3 : Condensed Matter: Electronic Properties, etc.
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