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Department Of Electronics Nagoya University | 論文
- Dynamic Force Microscopy Investigations of C_ Deposited on Si(111) Surface
- Investigation of Surface Potential of Ferroelectric Organic Molecules by Scanning Probe Microscopy
- 第34回欧州物理学会(EPS)プラズマ物理に関する会議
- はじめに
- 閉じ込め時間(0次元)と輸送(1次元)の関わり
- 1.はじめに(磁場閉じ込め装置での粒子補給システムの現状と課題)
- 25pA6 LHDにおけるエネルギー閉じ込め比例則と閉じ込め改善についての考察(ヘリカル/計測)
- Noninvasive laboratory tests proposed for predicting cirrhosis in patients with chronic hepatitis C are also useful in patients with non-alcoholic steatohepatitis
- Electron-Ion Coincidence Spectroscopy as a New Tool for Surface Analysis : an Application to the Ice Surface
- Transmission Electron Microscopy Study of the Microstructure in Selective-Area-Grown GaN and an AIGaN/GaN Heterostructure on a 7-Degree Off-Oriented (001) Si Substrate : Structure and Machanical and Thermal Properties of Condensed Matter
- InGaAs/InAlAs五層非対称結合量子井戸マッハ・ツェンダー光変調器の特性改善(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- InGaAs/InAlAs五層非対称結合量子井戸マッハ・ツェンダー光変調器の特性改善(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- InGaAs/InAlAs五層非対称結合量子井戸マッハ・ツェンダー光変調器の特性改善(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 五層非対称結合量子井戸の作製トレランスに関する理論検討(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般,材料デバイスサマーミーティング)
- 五層非対称結合量子井戸の作製トレランスに関する理論検討(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般,材料デバイスサマーミーティング)
- 非対称三重結合量子井戸における電気光学効果(量子光学,非線形光学,超高速現象,レーザ基礎,及び一般)
- C-4-20 InGaAs/InAIAs五層非対称結合量子井戸マッハ・ツェンダー型光変調器(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- エレクトロニクス実装学会設立十周年を記念して(社団法人エレクトロニクス実装学会十周年記念)
- C-3-59 GaAs/AlGaAs五層非対称結合量子井戸(FACQW)光位相変調器の評価(光スイッチ・変調器,C-3.光エレクトロニクス,一般講演)
- InGaAs/InAlAs五層非対称結合量子井戸の作製と光変調器への応用(光・電子デバイス実装,デバイス技術,及び一般)
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