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鳥大院工 | 論文
- 22pGQ-9 DFT計算によるグラファイト基板表面上GaN,GaPのエピタキシャル成長の研究(22pGQ 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 21pPSA-23 DFT計算によるAu/Ge(111)表面構造の研究(21pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 26pPSA-61 DFT計算によるGe(111)表面上Auの吸着構造の研究(領域9ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 23aGP-4 第一原理計算を用いたS終端Au表面担持型Pd触媒の研究(23aGP 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 24pPSA-10 第一原理計算によるSi(111)-2×1表面ステップ構造とバイアス依存STM像(ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 理論計算から見た窒化物半導体とZnOの様々な面でのエピタキシャル成長初期過程(安定・準安定:閃亜鉛鉱構造とウルツ鉱構造)
- 26pYC-1 シミュレーションによるGaAs(110)表面エピタキシャル成長での異方パターン形成の研究(26pYC 表面界面ダイナミクス,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 24aPS-71 Au/Ge(111)表面構造のDFT計算による研究(24aPS 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 希土類金属シリサイドとケイ素からなるリチウム二次電池厚膜負極の評価
- 種々の希土類シリサイドを用いたリチウム二次電池負極の性能
- 希土類シリサイドとケイ素からなるコンポジット電極のリチウム二次電池負極特性
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