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静岡大 大学院電子科学研究科 | 論文
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- 5p-YE-3 Bi-2201系酸化物の電子状態変化の電子分光法による研究
- 30p-PSB-34 Bi_Sr_CuO_yにおける電子状態変化の電子分光による研究
- 光電子分光,逆光電子分光によるBi_2+xSr_2-xCuO_yの電子状態
- (NH_4)_2S_x処理したInAs(111)A-(2×2)-S表面の構造解析
- H_2S処理を行ったInP(001)の表面構造および電子状態
- 光電子回折によるAu(111)上メチルチオレートの吸着構造解析
- 光電子回折によるシリコン表面に吸着したベンゼンおよびピラジンの構造解析
- 26pXC-8 Si表面上におけるピロール及びピラジンの吸着構造(表面・界面構造(シリコン表面),領域9(表面・界面, 結晶成長))
- 講義 III-V族化合物半導体表面及び硫黄処理表面分析--組成、構造、電子状態
- 17pWD-3 光電子回折によるエチレン及びベンゼン吸着Si(001)表面の構造解析
- 25aWD-9 光電子回折によるSi(001)(1×2)-Sb表面におけるSi2p内殻準位シフトの同定
- 25pW-1 SI(001)表面上ビスマス細線構造(1) : 構造解析
- 清浄およびH_2S処理GaP(111)の表面構造と電子状態