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静岡大学工学部電気工学科 | 論文
- HWE法によるAlN/GaN量子カスケード構造の作製と構造評価(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
- 長波長赤外線レーザ用PbSnCaTe薄膜の作製と評価
- HWE法によるAlN/GaN短周期超格子の作製と評価
- 長波長赤外線レーザ用PbSnCaTe薄膜の作製と評価
- HWE法によるAlN/GaN短周期超格子の作製と評価
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- HWE法によるAlN/GaN短周期超格子の作製と評価
- 5p-KS-9 Theta Pinch予備電離のための高周波放電を加えたZ軸放電
- 28a-YL-4 IV族元素をドープしたSiO_2薄膜の電気伝導 II
- IV族元素をドープしたSiO_2薄膜の電気伝導
- 2a-J-7 IV族元素をドープしたSiO_2薄膜の電気伝導
- 28p-G-7 Si-rich SiO_2膜の電気伝導
- カーボンナノチューブ構造体の熱電子源応用(電子管と真空ナノエレクトロニクス及びその評価技術)
- 30a-M-5 直線ピンチ装置における端損失と,その抑制方法
- 4a-J-13 θ放電の特性と予備電離の影響
- 直線多極磁場中ECH放電による一様な大容積高密度プラズマの生成
- 18p-F-2 テーターピンチプラズマにおける予備電離効果
- 11a-M-7 球状閉じ込め磁界の戻り導体の処理
- n局対が同一周波数帯域を共有する流星バースト通信システムの特性解析
- 6a-R-8 テータピンチプラズマ生成に及ぼす逆磁場と予備電離の効果