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静大電子研 | 論文
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- 23aB8 InGaAs/GaAsのブリッジ成長機構の検討(エピタキシャル成長II)
- 窒化シリコン膜付きGaAs基板上へのInGaAs横方向成長(II) : 溶液成長
- 第10回結晶成長国際会議 (ICCG-10) 報告
- 電子線励起紫外発光ZnAl2O4蛍光体の焼成条件依存性 (電子ディスプレイ)
- クエン酸ゲル法によるLa_2O_2S:Eu合成における粒径制御
- クエン酸ゲル法によるLa_2O_2S:Euの合成と発光特性
- Size effect for lead zirconate titanate nano-particles with PZT(40/60) composition
- Effect of Back-Etching on Residual Stress in Lead Titanate Thin Films on Si Wafer
- Size Effect for Lead Zirconium Titanate Nanopowders with Pb(Zr_Ti_)O_3 Composition
- Raman Studies of the Effects of Nb Dopant on the Ferroelectric Properties in Lead Titanate Thin Film
- 1p-B-1 アモルファスAs_2Se_3へのCu添加効果
- 非晶質As_2Se_3の電気および光学的性質への銀添加の影響
- アモルファスAs_2Se_3:Cuの電気的・光学的性質
- 31a GE-1 非晶質As_2Se_3銀添加効果
- A-1-18 オペアンプを用いた反転増幅器の周波数特性
- CMOS水晶発振器の消費電力
- ZnTeの電気的光学的諸特性
- A-1-11 タイマー回路による抵抗測定
- CMOSカレントミラーの周波数特性