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電通大電子 | 論文
- 18pTG-9 第一原理計算によるSiO_2/Si(001)界面のナノスケール誘電特性評価(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 18pTG-10 不純物ドープSi(111)表面のSTM像の第一原理計算(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 21aTG-9 酸素吸着グラフェンの構造双安定性の第一原理計算(ナノチューブ・ナノワイヤー,表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 15pXG-4 As 安定化 GaAs(001)-c(4×4) 表面における安定および準安定構造(表面界面構造 : 半導体, 領域 9)
- 30p-S-9 Si(111)面の表面融解 : ストレイン依存性
- 28p-YM-2 Si(111)微斜面の表面融解II
- 5a-H-8 Si(111)微斜面における表面融解
- 27pY-7 Si(001)2x1Ag吸着表面の第一原理計算による評価
- 25pWB-7 ジグザグ金原子鋼の双安定性
- 28pPSB-27 GaAs(001)-c(4x4) 表面上における Ga-As dimer の欠陥構造
- Ge/Si(113)-2×2表面の構造安定性と応力異方性
- 31aWD-8 Ge/Si(113)-2×2 表面の応力異方性
- 19pPSB-38 Ge/Si(113)-2x2表面の構造安定性
- 4a-M-6 TSCによる結晶中のイオン伝導の研究
- 30a-P-12 TSCによるイオン結晶の研究
- Ba_Sr_xF_2:Mn結晶中のMn^-Sr^複合体のESR
- 5p-Q-3 微小共振器における自然放出光のスペクトル
- 27p-YB-2 微小共振器における自然放出の理論
- 対称微小共振器における自然放出の量子論 : 放射強度の原子位置依存性
- 17pRE-17 ホットウォール法による原子空孔配列化合物半導体In_2Se_3薄膜の作製とその光物性
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