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電気通信大学 電気通信学部 電子工学科 | 論文
- 入力離散化器付き単一電子トランジスタおよびターンスタイルの特性(機能ナノデバイス及び関連技術)
- C-8-1 近似モデルを用いた超伝導薄膜積層構造のインダクタンス計算(C-8.超伝導エレクトロニクス,一般セッション)
- C-8-8 2次ステップを利用するジョセフソン電圧増倍回路の多段接続動作(C-8. 超伝導エレクトロニクス,一般セッション)
- C-8-6 超伝導シールド層の接地間隔による相互インダクタンスの変化(C-8. 超伝導エレクトロニクス,一般セッション)
- C-8-2 超伝導シールド層の接地位置の違いによる相互インダクタンスの変化(C-8.超伝導エレクトロニクス,一般講演)
- NBCO超伝導薄膜上に堆積したNiO層の特性
- a軸配向NBCO下部電極を用いたランプエッジ接合の電気的特性
- 2次ステップを利用するジョセフソン電圧増倍回路(デジタル,一般)
- C-8-2 非対称2接合SQUIDを用いたゼロ・クロス・ステップの生成(C-8.超伝導エレクトロニクス,一般講演)
- C-8-1 超伝導体を島電極とする強磁性単電子トランジスタのスピン依存伝導特性(C-8.超伝導エレクトロニクス,一般講演)
- C-8-3 高次ステップを利用するSFQ電圧増倍回路の設計(C-8.超伝導エレクトロニクス,一般講演)
- a軸配向NBCO薄膜を用いた膜厚変化形素子の作製1
- 強磁性リード電極を有する単一電子トランジスタでの磁気抵抗比増大効果の観測(ナノ材料・プロセス,機能ナノデバイス及び関連技術)
- 強磁性リード電極を有する単一電子トランジスタでの磁気抵抗比増大効果の観測(ナノ材料・プロセス,機能ナノデバイス及び関連技術)
- 2008年度ノーベル物理学賞,化学賞の日本人受賞に思う
- 半導体デバイスの信頼性基礎講座(2)(RCJ故障物理研究委員会編) : LSIの寿命分布(信頼性基礎講座)
- CS-3-1 シリコン・フォトニクス技術への期待(CS-3.シリコン・フォトニクス技術の最新動向,シンポジウム)
- ナノテクノロジー時代のLSI技術動向(ナノテクノロジー時代の故障解析技術と解析ツール)
- 横断型科学技術の勧め
- 広がりを見せる"信頼性"
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