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電子通信大学大学院電気通信学研究科電子工学専攻 | 論文
- C-8-8 2次ステップを利用するジョセフソン電圧増倍回路の多段接続動作(C-8. 超伝導エレクトロニクス,一般セッション)
- C-8-6 超伝導シールド層の接地間隔による相互インダクタンスの変化(C-8. 超伝導エレクトロニクス,一般セッション)
- C-8-2 超伝導シールド層の接地位置の違いによる相互インダクタンスの変化(C-8.超伝導エレクトロニクス,一般講演)
- NBCO超伝導薄膜上に堆積したNiO層の特性
- a軸配向NBCO下部電極を用いたランプエッジ接合の電気的特性
- 2次ステップを利用するジョセフソン電圧増倍回路(デジタル,一般)
- C-8-2 非対称2接合SQUIDを用いたゼロ・クロス・ステップの生成(C-8.超伝導エレクトロニクス,一般講演)
- C-8-1 超伝導体を島電極とする強磁性単電子トランジスタのスピン依存伝導特性(C-8.超伝導エレクトロニクス,一般講演)
- C-8-3 高次ステップを利用するSFQ電圧増倍回路の設計(C-8.超伝導エレクトロニクス,一般講演)
- a軸配向NBCO薄膜を用いた膜厚変化形素子の作製1
- 強磁性リード電極を有する単一電子トランジスタでの磁気抵抗比増大効果の観測(ナノ材料・プロセス,機能ナノデバイス及び関連技術)
- 強磁性リード電極を有する単一電子トランジスタでの磁気抵抗比増大効果の観測(ナノ材料・プロセス,機能ナノデバイス及び関連技術)
- DA変換器応用を目指したパルス数可変増倍回路の設計と動作検証(SQUID,一般)
- ジョセフソン接合の等価インダクタンスを利用した論理デバイスの特性
- RF磁界変調型SQUIDのスイッチングデバイス応用
- RF磁界駆動型SQUIDの高周波デバイス応用
- 5-104 学生実験指導のための支援環境(口頭発表論文,(5)実験・実技-II)
- 接地点を有する超伝導薄膜で磁気分離された超伝導ストリップライン間の相互インダクタンス
- C-1-16 2次元M型CIP法の数値分散に関する検討(C-1.電磁界理論,一般講演)
- 超伝導薄膜で磁気分離されたストリップライン間の相互インダクタンス(エレクトロニクス)
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