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阪市大院工 | 論文
- ソルボサーマル法によるITOナノ粒子の合成と透明導電膜への応用
- 25pPSB-30 アンドープGaAs/n型GaAsエピタキシャル構造からのテラヘルツ電磁波の時間分割Fourier変換解析(25pPSB 領域5ポスターセッション(光誘起相転移・励起子・非線形等),領域5(光物性))
- MOVPE成長GaN薄膜の高密度励起条件における励起子非弾性散乱過程による発光特性(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- MOVPE成長GaN薄膜の高密度励起条件における励起子非弾性散乱過程による発光特性(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- MOVPE成長GaN薄膜の高密度励起条件における励起子非弾性散乱過程による発光特性(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- MOVPE成長GaN薄膜の高密度励起条件における励起子非弾性散乱過程による発光特性
- MOVPE成長GaN薄膜の高密度励起条件における励起子非弾性散乱過程による発光特性
- MOVPE成長GaN薄膜の高密度励起条件における励起子非弾性散乱過程による発光特性
- 28aPS-20 MOVPE成長GaN薄膜における励起子-励起子散乱と励起子-電子散乱による発光(28aPS 領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
- 20pPSA-17 希薄混晶InGaNでの励起子-電子散乱過程による発光(領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
- 30aPS-20 InGaN薄膜における強励起条件での発光特性(領域5ポスターセッション)(領域5)
- 水熱法を用いた銅および銅/銀複合ナノ粒子の合成
- 22pPSA-13 クロライド気相成長法による ZnO 薄膜の作製とその光学特性
- 29a-ZC-10 23-120eV領域におけるCF_4の解離性イオン化
- 半導体ナノ粒子間のフェルスターエネルギー移動の実験的検証
- 19pPSA-48 コロイド法により作製したZnS-CdS混晶超微粒子の発光ダイナミクス(ポスターセッション,領域5,光物性)
- 31a-L-10 CO_2分子の電子衝突による1,2価イオン化と解離過程
- 25aYH-13 パルス計数計測法を用いた単一W原子上のHe-Ne電界吸着機構の研究(ダイナミクス,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 17pTA-10 CS_2の分子状および解離性1,2価光イオン化
- 25pF-7 電子衝突による希ガス原子(Ne、Ar、Kr、Xe)の部分イオン化断面積測定
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