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阪大院工:jst-crest | 論文
- 31aZF-9 金属単原子鎖の構造と導電性 III
- 28pPSB-68 異なる結晶面方位を持つ Si 表面の光反射率スペクトルの差の解析 : (100) と (111) の比較
- 25pWD-6 積分方程式を用いた方法による原子架橋の電子状態計算
- 22pPSA-20 水素終端化Si(001)面と(111)面の反射率差スペクトルの第一原理計算による解析(領域9ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 26aYC-11 NH_4F処理したSi(111)表面の光学特性(26aYC 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 30aPS-12 表面構造を持つ水素終端化シリコン(001)表面光反射率スペクトルの第一原理計算(30aPS 領域9ポスターセッション(表面,界面,結晶成長),領域9(表面・界面,結晶成長))
- 27pPSA-11 光反射スペクトルを用いたSi結晶表面評価法の開発 : 超清浄測定装置の開発(領域9ポスターセッション)(領域9)
- 28pYB-2 Molecular Rotation Effects on the Dissociative Adsorption of H_2 on Si(001)(Surface science and photoemission spectroscopy)
- 20pYD-11 Quantum Dynamics of Hydrogen Interaction with Si(001) : A Coupled Channel Approach
- 27pPSA-52 カーボンアロイ触媒によるCO酸化反応の第一原理シミュレーション(27pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 27pPSA-46 HによるSi表面エッチングにおけるH終端Si(001)表面上でのH拡散の寄与(27pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 23pPSB-23 HラジカルによるSi表面エッチング過程の解析 : 飛来Hラジカル表面吸着確率の既吸着H原子数依存(23pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 27pPSA-30 第一原理計算によるGaN(0001)表面の終端構造の解析(27pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
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