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阪大産研 | 論文
- 領域10「グリーンテクノロジーにおける格子欠陥・ナノ構造の役割」(第65回年次大会シンポジウムの報告)
- 23aPS-6 フェムト秒過渡吸収分光によるオリゴチオフェンの光励起ダイナミクス(23aPS 領域5ポスターセッション(光電子分光・光誘起相転移等),領域5(光物性))
- 20aGQ-2 フェムト秒2光子光電子分光によるSi表面占有状態中に生成した正孔の超高速緩和動力学II(20aGQ 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 20aGQ-1 Si(001)表面のレーザー光電子分光(20aGQ 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 23pGA-6 両極ドープ123系における反強磁性秩序の電子-ホール非対称性(23pGA 銅酸化物2,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 21pBF-10 フォトカソードRF-Gunにおけるマルチバンチ電子ビームのRF振幅変調法を用いたエネルギー補正に関する研究(21pBF ビームダイナミクス・数値計算・電子顕微鏡・線形加速器・ビーム源・ビーム診断,ビーム物理領域)
- 21pBF-9 Cs-TeフォトカソードRF-Gunを用いたマルチバンチ電子ビーム生成システムの開発(21pBF ビームダイナミクス・数値計算・電子顕微鏡・線形加速器・ビーム源・ビーム診断,ビーム物理領域)
- 21pPSA-15 Cu(110)表面における水少数クラスターの実空間観測(21pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 23aHV-11 強磁性体を用いたトポロジカル絶縁体上のスピン偏極電流観測の試み(23aHV 量子スピンホール効果・トポロジカル絶縁体,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 23aHV-9 スピンホール絶縁体候補物質PbSにおける表面電流存在の可能性(23aHV 量子スピンホール効果・トポロジカル絶縁体,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 23aGR-1 電極間架橋オリゴチオフェンの非弾性トンネル分光(23aGR 分子デバイス,領域7(分子性固体・有機導体))
- 20pEL-11 周期セルを用いた電子状態計算の問題とその改善 : 永久多重極を持つ系の計算(20pEL 電子系(密度汎関数理論),領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))
- 三次元連続ナノ構造設計制御による構造用セラミックスの電気的高次機能化
- 23pGP-2 ケルビンプローブフォース顕微鏡像のシミュレーション方法とその応用(23pGP ナノ構造・局所光学現象,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 23aGR-2 電流誘起局所加熱による単分子接合コンダクタンスの揺らぎ(23aGR 分子デバイス,領域7(分子性固体・有機導体))
- 20aPS-96 アルミニウムとボロンドープSiC超伝導体(20aPS 領域8ポスターセッション(低温I(遷移金属化合物,炭化・硼化物など)),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 21pGP-8 グラファイトの高圧における電気伝導特性(21pGP グラフェン(成長と評価),領域7(分子性固体・有機導体))
- ゲーティングナノポアを用いた1分子検出
- 27aPS-82 オリゴチオフェン薄膜における電場変調吸収スペクトルの鎖長依存性(領域5ポスターセッション,領域5,光物性)
- 21aGL-2 Au(111)表面におけるHe^*の脱励起過程(21aGL 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
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