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筑波大院数物 | 論文
- 第一原理計算によるIn系窒化物の特異な電子構造の理論的研究(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 23pRL-11 電場誘起ESR法による立体規則性ポリヘキシルチオフェン/PCBM複合体デバイスの界面分子配向評価(23pRL 界面デバイス1,領域7(分子性固体・有機導体))
- 23pRL-6 電場誘起ESRによるルブレン単結晶トランジスタ界面のトラップ状態解析(23pRL 界面デバイス1,領域7(分子性固体・有機導体))
- 23pRL-9 高移動度導電性高分子PBTTT及びそのフラーレン複合体におけるキャリアのESR観測(23pRL 界面デバイス1,領域7(分子性固体・有機導体))
- 2G27 ルテニウム含有タリウムパイロクロアの金属半導体転移
- 21pVE-2 (K_Rb_x)_3H(SeO_4)_2の中性子粉末構造解析(21pVE 誘電体(水素結合系),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 27pYL-1 τ型有機導体τ-(EDO-S, S-DMEDT-TTF)_2(AuCl_2)_の磁気抵抗(τ-型, および各種相転移,領域7(分子性固体・有機導体))
- 24aTD-9 Ni(111)面上への硫黄吸着により生成するNiの3原子クラスター(3)(表面界面ダイナミクス,表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 19aTG-5 Ni(111)面上への硫黄吸着により生成するNiの3原子クラスター(2)(表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 21pXF-3 Ni(111)面上への硫黄吸着により生成するNiの3原子クラスター(表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 30aRD-9 極低温STS測定によるPt/HOPGの電子状態解析(30aRD 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- ステップエッジと触媒活性 : Ni(111) 上でのH_2SおよびCOの解離
- 薄層カーボンナノチューブ合成におけるMo/Ni/MgO触媒の機能
- 12pWG-9 高スピン分子クラスター Mn^Cu^(Br-sap)_2Cl(MeOH) の超低温域までの NMR(量子スピン系 : 一次元及びクラスター, 領域 3)
- 29pXR-4 高スピン分子クラスターMn(III)Cu(II)二核錯体のNMR(量子スピン系(クラスター系及び一般))(領域3)
- 25aWQ-8 ゲートつき非ドープGaAs量子井戸のスピン緩和測定(25aWQ 量子井戸・超格子,領域4(半導体メゾスコピック系・局在))
- 30pYE-4 Fe_xNbS_2(x=0.325)の原子配列立体写真及び構造解析(表面界面構造(金属・その他))(領域9)
- 19pYL-9 NbSe_3における高温CDW相と超伝導相の共存(超伝導・電荷密度波,領域6(金属,超低温,超伝導・密度波))
- 12pTM-5 NbSe_3 の磁場誘起相(電荷密度波, 領域 6)
- 29pTE-14 β"-(EDO-TTFVO)_2FeCl_4における磁気抵抗異常とShubnikov-de Haas効果(II)(29pTE π-d系,領域7(分子性固体・有機導体))
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