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筑波大計科セ | 論文
- 23pGL-2 数nm直径Siナノワイヤに対する大規模第一原理電子状態計算(23pGL ナノチューブ・ナノワイヤ,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 21pGP-2 微傾斜SiC(0001)表面上グラフェンの安定構造と電子状態(21pGP グラフェン(成長と評価),領域7(分子性固体・有機導体))
- 20pBL-5 格子QCDを用いたΔI=3/2K中間子崩壊行列要素の直接的計算(20pBL 若手奨励賞受賞記念講演,招待講演,素粒子論領域)
- 20pGS-12 金属表面上の単層カーボンナノチューブの第一原理計算(20pGS ナノチューブ,領域7(分子性固体・有機導体))
- 20pSK-15 ハイペロンβ崩壊におけるSU(3)フレーバー対称性の破れ(素粒子論領域)
- 24pZC-4 現実的な2+1フレーバー格子QCDによる核子形状因子の研究(素粒子論領域)
- 28aYE-1 折り畳まれたグラフェンの電子構造(グラフェン電子物性(物性予測),領域7,分子性固体・有機導体)
- 27pYE-5 Pt吸着によるグラフェン上のエッジ状態(グラフェン電子物性(形成と評価),領域7,分子性固体・有機導体)
- 24aRA-12 グラフェンリボンに対する電界ドープの第一原理計算(グラファイト・グラフェン,領域7,分子性固体・有機導体)
- 20aHQ-12 第一原理電子ダイナミクス計算によるコヒーレントフォノン生成機構の解明(20aHQ 超高速現象・量子井戸,領域5(光物性))
- 22pPSA-22 第一原理分子動力学によるカーボンアロイ触媒の反応サイト探索(22pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 第一原理計算によるIn系窒化物の特異な電子構造の理論的研究(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 12aSD-1 格子QCDによるヘリウム原子核の研究(企画講演,12aSD 素粒子論領域,理論核物理領域合同企画講演,素粒子論領域)
- 25pWS-12 金属上の数層グラフェンの第一原理計算(25pWS 領域9,領域7合同 グラフェン,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 24pRC-11 時間依存密度汎関数理論による半導体コヒーレントフォノン生成の振動数依存性の分析(24pRC 超高速現象,領域5(光物性))
- 第一原理計算によるIn系窒化物の特異な電子構造の理論的研究(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 第一原理計算によるIn系窒化物の特異な電子構造の理論的研究(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 1SP7-07 シトクローム酸化酵素におけるプロトン移動機構の第一原理計算による解析(1SP7 タンパク質機能の原子レベルの解明 : X線構造、振動分光、分子生物学、理論解析による挑戦,第47回日本生物物理学会年会)
- 26aYH-11 数nm直径Siナノワイヤに対する大規模第一原理電子状態計算(ナノチューブ・ナノワイヤ,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 22aYD-7 金属, 半導体表面における非局在表面状態
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