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筑波大物質工 | 論文
- 4p-H-7 イオン注入NbSe_2の超伝導特性
- 31p KH-11 イオン注入したNbSe_2の超伝導電流特性
- 31p GE-13 a-SiへのBP注入における補償効果
- 6a-LT-13 アモルファスシリコン薄膜へのPB注入
- 3p-BJ-14 a-Si へのイオン注入
- 31a-AB-10 GaSa表面の高速イオン後方散乱法による研究
- ビスマス鉄ガーネットの相対論的バンド計算
- バンド計算によるガーネットの磁気光学効果
- ビスマス鉄ガーネットのバンド計算
- 25pYP-4 As^+イオン注入によりSi基板中に導入された反跳酸素と空孔型欠陥の検出
- 21aPS-138 鉛ペロブスカイト型有機半導体C_5H_NH_2PbI_3の構造相転移(領域8ポスターセッション(低温),領域8,強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など)
- 2p-PSB-3 CeRu_2単結晶の弾性定数
- 2p-Z-7 Celr_2及びCeRh_2の超音波物性
- (Pb,Cu)(Sr,Ba)_3(Y,Ca)Cu_2O_z (z=〜7)の結晶構造
- 22aTA-11 グラフェンにおける低温伝導特性(22aTA 領域4,領域7合同 グラフェン・量子効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 23aWJ-6 1次元系近藤効果における近藤温度の形状依存性(量子細線,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 25pWH-3 グラフェンにおける低温伝導特性(グラフェン,領域4,領域7合同講演,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 19pRC-5 結合型量子細線における非局所伝導を用いた局在モーメントの観測(量子細線・量子井戸,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 23pXJ-2 非平衡測定による量子細線・量子ポイントコンタクトの観測(23pXJ 量子細線,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 28aPS-79 MgB_2 単結晶の熱散漫散乱測定
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