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筑波大・物理 | 論文
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- 27aWL-7 SOI技術によるPixel検出器の開発(27aWL 半導体検出器(1),素粒子実験領域)
- 23a-G-6 JLC補償型カロリメーターIII
- 23a-G-4 補償型JLCハドロンカロリメータのビームテスト-I
- 31a-YS-10 補償型JLCハドロンカロリメータのビームテスト II
- 31a-YS-9 補償型JLCハドロンカロリメータのビームテスト-I
- SOI基板を用いたメインフレーム用0.3μm ECL-CMOSプロセス技術
- アクセス時間1.5nsの60ps 11k論理ゲート付256kb BiCMOS SRAM
- 29a-MB-5 ^C (^O, ^8Begs.)^Ne^*反応の励起関数
- 6a-C-13 核分裂片の角分布
- 13a-D-8 26MeV/核子の^Ar+Ni, ^Mo, ^Sn反応からの高エネルギーγ線
- 13a-D-4 26MeV/核子の^Ar+Ni, ^Mo, ^Sn反応からの中性子放出
- 13a-PS-11 ^Cl+^C系におけるFusion及びFission-like反応
- 3a-H-10 重イオン核分裂反応に於ける分裂片の質量分布測定
- 30a-C-10 ^+^Al系における融合と多核子移行反応
- 低・高温金属クラスター生成の物理過程
- 24pZB-6 低・高温金属クラスターの成長機構
- 30p-D-4 Naを吸着させたY型ゼオライトの^Na-NMRの緩和
- ゼオライトに含まれる電荷補償カチオンの低温ダイナミクス
- AlBr_3の^Al-NMRにおけるラマン過程