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神戸工業株式会社 | 論文
- 高速度カメラ用像変換管
- 14p-A-6 InSbのp-n junction
- 高周波型質量分析計の改良実験 : 真空
- PN接合型半導体検出器の分解能と雑音 : 放射線物理(検出器)
- Si単結晶中に於ける負性抵抗 : 半導体(負抵抗, ピエゾなど)
- 7p-L-12 Si中のPの拡散
- 14p-A-14 酸化被膜をつけたSi表面
- 14p-A-13 Heavy dopingしたSi中の不純物擴散
- 14a-A-6 Geのgrain Boundaryの表面電場効果
- 塑性変型されたゲルマニウムP-n接合特性 : 半導体
- 酸化被膜をつけたSi表面と雑音の関係 : 半導体
- Si酸化被膜の性質 : 半導体
- Si酸化膜の二・三の性質 : 半導体
- 酸化被膜をつけたSiP-N接合の電気的特性 : 半導体
- 4a-L-3 ゲルマニウム單結晶の塑性変形
- ゲルマニウムp-n接合特性と塑性変形(II) : XX. 半導体
- 20L-16 ゲルマニウムP-n接合特性と塑性変形
- 15C13. 半導体合金の研究 第二報 : In-Sbの熱電能
- 15C12. 半導体合金の研究 第一報 : In-Sbの電気抵抗
- 6a-H-1 超高速度カメラの試作とプラズマ觀測