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産業技術総合研究所 ナノテクノロジー研究部門 | 論文
- 20aYH-5 電気抵抗スイッチング現象の強相関モデル((Mn系2(マルチフェロイック・薄膜・デバイス),領域8(強相関系 : 高温超伝導,強相関f電子系など))
- 24aYN-14 ナノコンデンサー:カーボン(またはBN)ナノチューブとナノグラファイト系などにおける電気容量の計算(ナノチューブ物性1(電子物性・構造他),領域7(分子性固体・有機導体))
- 高速ユニポーラスイッチングRRAM技術(新メモリ技術とシステムLSI)
- 高速ユニポーラスイッチングRRAM技術(IEDM(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- 20aXF-9 メビウス形状パイ電子系リボンにおける新しい電子状態 : トポロジー効果と電荷スピン競合
- 超臨界二酸化炭素を溶媒とした二段重合によるポリ(2,6-ジメチルフェニレンオキサイド)の合成
- 15pXE-12 グラファイト表面吸着分子の STM 像 : 半経験的分子軌道法による計算(表面界面電子物性, 領域 9)
- 27aYA-2 (Ga,Mn)Asにおける磁化誘起第二高調波発生(磁性半導体)(領域4)
- 19pRG-14 ESR法による高分子MISデバイス界面における分子配向評価 : 基板平滑度依存性(金属架橋・結晶成長・高分子,領域7,分子性固体・有機導体)
- 環状構造を有する光応答性液晶化合物の開発(有機材料・一般)
- 20aYD-10 錯体超微粒子における光誘起スピン転移の理論(光誘起相転移,領域5(光物性))
- 27aYK-3 金属錯体ナノ粒子のスピン転移に関する理論(分子磁性, 高圧物性,領域7(分子性固体・有機導体))
- 14aXA-11 双安定物質の光励起下における動的相転移の理論(光誘起相転移, 領域 5)
- ナノ構造化による高効率光誘起相転移の理論的提案
- 23pPSB-42 配向制御されたアントラセン結晶の分子間相互作用と励起状態(領域5ポスターセッション,領域5,光物性)
- 22aTA-8 スピン密度汎関数法によるポリジアセチレンの電子状態 : ブタトリエン構造の不安定化
- 28aYG-6 ポリジアセチレンのポテンシャル面
- 23pM-6 ポリジアセチレンの構造双安定性に関する第一原理計算
- 31a-XA-13 電界発光性高分子PPVにおける電場変調スペクトル
- 超臨界炭酸エステルを用いた架橋ポリエチレンのリサイクル技術の開発
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