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産業技術総合研究所強相関電子技術研究センター | 論文
- 全YBaCuO積層型接合を用いたSQUIDゲート
- ペロブスカイト型酸化物ヘテロ接合の抵抗スイッチング・メモリ(New Materials and Processes, 先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショップ(AWAD2005))
- 遷移金属酸化物接合の電界誘起抵抗スイッチング : RRAMの動作メカニズム解明を目指して(新型不揮発性メモリ)
- 正規分布形状STJを用いたコイル集積型超伝導X線検出器の作製
- 非平衡超伝導 (ジョセフソンコンピュ-タ技術特集)
- 非平衡超伝導とその応用
- 非平衡系における非線形発展方程式の数値解析--非平衡超伝導体の準粒子拡散不安定性と時間発展
- 2p-L-9 非平衡超伝導体の準粒子拡散不安定性の時間発展
- 5a-NF-5 非平衡超伝導体の常伝導転移
- 31p-A-8 非平衡超伝導 : 非平衡超伝導体の空間構造
- 31p-A-2 非平衡超伝導オーダーパラメータの空間依存性
- 3p-J-7 非平衡超伝導体の空間構造
- 3p-J-6 非平衡超伝導状態の不均一エネルギーギャップ
- 30a-L-10 超伝導トンネル接合による準粒子パルス注入
- フラクソンとその応用
- フラクソン素子作製技術 (超伝導エレクトロニクスの基礎に関する研究)
- フラクソン素子 (ジョセフソン集積回路技術)
- ジョセフソンサンプラ (ジョセフソンコンピュ-タ技術特集)
- 高温超伝導薄膜の磁場侵入長 (高温超伝導デバイスパラメ-タ-の測定)
- 高温超伝導のエレクトロニクスへの応用--活躍の場を待っているデバイスと,究極のプロセス