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物質・材料研究機構 ナノ物質ラボ | 論文
- 第21回高圧力の科学と技術に関する国際会議報告
- 単結晶炭化物(HfC, ZrC, TiC)の酸化による界面でのカーボン析出とその評価
- 01pA02 FZ法による(Ti_Zr_x)C単結晶の育成(機能性結晶(1),第36回結晶成長国内会議)
- 19pPSB-53 ZrB_2(0001)表面のフォノン分散
- 25pTA-15 NbB_2(0001)表面フォノン
- 28p-YR-12 WB_2(0001)表面フォノン分散
- 27pPSA-13 NbB_2(0001)とZrB_2(0001)のXPS(領域9ポスターセッション)(領域9)
- 超高圧プロセスによる反応性溶媒を用いた機能性III族窒化物結晶の創製
- 窒化ホウ素単結晶の高圧合成
- 第20回高圧力の科学と技術に関する国際会議(AIRAPT-20)報告
- 亜酸化膜形成によるZrC(100)面の活性化
- HfC ( 111 ) 清浄表面および水素吸着面の電子状態
- 2p-YF-6 Ni(755)上の単原子層六方晶系窒化ホウ素膜
- 高圧下融液徐冷法によるIII族窒化物半導体単結晶育成
- グラファイト・ナノリボンの電子構造
- 15aPS-21 エピタキャシャル BC_3 薄膜のフォノン構造(領域 9)
- TiB_2, VB_2, CrB_2結晶の高温硬度とフラックス育成
- Ni_2P(1010)単結晶表面の角度分解・共鳴光電子分光
- 21aPS-3 NbB_2(0001)面上にエピタキシャル成長した準安定状態BC_3薄膜(領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- Pt(755)とTic(755)上に成長させた単原子層グラフェンの電子状態