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湘南工科大学大学院工学研究科 | 論文
- ユニバーサルメモリを目指した積層型NOR MRAMの検討(ゲート絶縁薄膜、容量膜、機能膜及びメモリ技術)
- 一層型SGT、積層型SGTを用いたシステムLSIのパターン面積の比較検討(ゲート絶縁薄膜、容量膜、機能膜及びメモリ技術)
- ユニバーサルメモリを目指した積層型NAND MRAMの検討(低電圧/低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用)
- 先端不揮発性メモリのBiCS型積層化に関する検討 : BiCS型FeRAM、MRAMの基礎検討(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- プロセス・トライボロジー
- MOSダブルゲート/CNTトランジスタを用いた再構成可能な論理回路の設計法
- Fe-3Si合金の酸化初期に形成するスケールの性状
- Fe-Si合金の長時間酸化におけるスケールの性状
- Fe-Si合金の長時間酸化
- Fe-Si合金の長時間酸化により形成されたスケールの機械的性質
- 微量のSiを添加したFeの高温酸化挙動
- 微量のSiを添加したFeに形成されるスケールの硬さおよびその際に発生するクラックの伝播
- Fe-3Si合金上に生成するノジュール状スケールの微細構造
- 積層型NOR MRAMの検討(フラッシュメモリ,メモリ(DRAM, SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)
- 6ZD-1 並列計算機Ships1のノード間結合装置の構築(ネットワークと専用アーキテクチャ,学生セッション,アーキテクチャ)
- 203 DCパルスプラズマCVD法による異なる原料ガス由来のDLC膜のトライボロジー特性(機械材料及び潤滑)
- MOSダブルゲート/CNTトランジスタを用いた再構成可能な論理回路の設計法(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- MOSダブルゲート/CNTトランジスタを用いた再構成可能な論理回路の設計法(デバイス,低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- EHLから薄膜潤滑への遷移下における官能基導入型ポリアルキルメタクリレート添加油の油膜形成能とトラクション
- スピントランジスタを用いた積層型NOR MRAMの検討(Digital Harmonyを支えるプロセッサとDSP,画像処理の最先端)
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