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液晶先端技術開発センター | 論文

• ラジカル酸化および熱酸化により形成した極薄シリコン酸化膜中の電子の脱出深さ(プロセスクリーン化と新プロセス技術)
• 金属柵・真空窓を有するプラズマ励振用1m^2級一層構造導波管スロットアレーの設計
• 大粒径低温多結晶シリコン薄膜トランジスタにおけるチャージポンピング特性とMOS界面に関する考察(半導体材料・デバイス)

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