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沖電気工業株式会社 研究開発本部 | 論文
- AlGaN/GaN-HEMT特性におけるパッシベーション膜の影響(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
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- 高い相互コンダクタンスを有するリセスゲート窒化物半導体FET
- 7)横方向電界効果を改善した14インチTFTカラーLCD(情報ディスプレイ研究会)
- 横方向電界効果を改善した14インチTFTカラーLCD : 情報ディスプレイ
- 高周波高出力GaN-HEMTにおける熱設計 (デバイス特集)
- ファイバグレーティング波長分散補償素子を用いた10 G bit/s伝送特性
- B-12-13 波長多重光クロスコネクト網でのIP・ATMサービス提供方式の一検討
- AOTF(Acousto-Optic Tunabel Filter)の安定制御の検討
- C-3-5 FBG型π/2シフトBPSK光符号器のパルス反射率の符号依存特性(C-3. 光エレクトロニクス(変調器・光信号処理), エレクトロニクス1)
- 長尺FBG型符号器用パッケージにおける温度分布の改善(光部品・電子デバイス実装技術, 一般)
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- 大規模ネットワークにおけるネットワーク性能評価(1,2) : ネットワークトポロジーの計量化手法,ネットワークトータルコスト評価手法(IN 3トラヒック解析・評価,IPバックボーンネットワーク,MPLS,GMPLS,フォトニックネットワーク及び一般)
- B-12-25 超10テラ級フォトニックネットワーク構造と資源効率(B-12.フォトニックネットワーク,一般講演)
- 数10テラ級巨大ネットワーク構築のためのネットワークアーキテクチャ(フォトニックネットワーク(IP+オプティカル)システム, 光ルーティング技術, 一般)
- 無線システム用高出力GaN HEMTの開発 (ネットワーク特集)
- WWW上の電子新聞に対する情報フィルタリングとその評価
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