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株式会社Wave Technology | 論文
- C-10-6 CDMA端末用2.4V低リファレンス電圧動作InGaP-HBT電力増幅器(C-10.電子デバイス,一般講演)
- L帯10W GaN HEMT増幅器の高調波注入による効率改善効果の実験的検討
- GaAsオンチップに高調波処理回路を一体化した3.5GHz低歪高出力FET(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
- GaAsオンチップに高調波処理回路を一体化した3.5GHz低歪高出力FET(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
- GaAsオンチップに高調波処理回路を一体化した3.5GHz低歪高出力FET
- C-10-4 GaAs基板上に高調波処理回路を一体化した3.5GHz低歪高出力FET(C-10.電子デバイス,一般講演)
- 多段増幅器のゲインエクスパンション特性の補償法に関する検討
- C-2-28 2.0GHz帯si-cMosトリプルカスコード電力増幅器(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
- C-2-25 800MHz帯W-CDMA端末向け出力モード切替HBT電力増幅器(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
- B-1-41 複数受電体に対応した無線電力伝送システム設計法の検討(B-1.アンテナ・伝播A,(電波伝搬,非通信利用),一般セッション)
- 3共振系無線電力伝送システムの電力計算による設計理論の検討
- C-2-3 2GHz Si-CMOSトリプルカスコードプシュプル電力増幅器(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
- C-2-47 樹脂多層基板による分波機能を備えた2GHz帯バラン回路(C-2.マイクロ波B(マイクロ波・ミリ波受動デバイス),一般セッション)