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東芝 研究開発センター Lsi基盤技術ラボラトリー | 論文

• 不純物偏析 Schottky ソース/ドレインを用いた高性能FinFET
• 走査型拡がり抵抗顕微鏡(SSRM)を用いたソース・ドレインにおける高分解能イメージング及び高精度プロービング解析

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