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東芝基礎研究所 | 論文
1a-J-3 Sr_La_xVO_4の電子状態
7p-YL-15 電極/溶液界面電子移動反応率の量子補正
順序関係のあるカテゴリカルデータの学習
26a-J-2 熱ベーテ仮説によるS=1/2反強磁性鎖の相関距離
複数パターンからの連想の記憶容量とノイズ解析
26p-YM-6 水素終端化されたSi(100)表面と水の反応
半導体結晶内の原子の動きを再現する (コンピュ-タシミュレ-ション) -- (注目の物質をコンピュ-タシミュレ-ションでさぐる)
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