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東芝・中研 | 論文
- 中性子ラジオグラフィの解像力 : 応用原子核・放射線
- 半導体をめぐって
- V-O系単結晶の電気的性質(II) : 半導体 : 不安定,輸送
- 多重波高分析器による放電開始電圧のバラツキの観測 : 放電
- 高周波イオン源の動作特性 : 原子核実験(低)
- 100Mcイオン源とその性能向上 : 原子核実験
- 高周波イオン源(I)Extraction System : 原子核実験
- 6a-L-3 InSbの不純物準位への圧力の影響
- 13p-A-4 InSb p-n junctionの高圧下の特性
- 14p-K-1 n-InSbの非線形伝導(III),(IV)
- CdSe蒸着薄膜形成の初期段階 : X線・粒子線
- 13p-A-1 Cd_3As_2の半導体特性
- 非線形光学結晶の育成と特性 (II)
- 非線形光学結晶の育成と特性(II) : 量子エレクトロニクス・誘電体シンポジウム : 非線形光学結晶
- 10a-A-9 Cubic Semiconductorの異方性に対する4/3,1/2/3の法則(III) : Warped Sphereの場合
- 10a-A-7 Cubic Semiconductorの異方性に対する4/3,1/2/3の法則(I)
- 超高圧力発生装置のcompressible gasket : 測定技術
- 10a-C-7 プラズマのイオン・サイクロトロン共鳴II
- 6a-A-5 P型Siの奇妙な異方性(2) : 温泉効果
- GaAsの気相成長過程(半導体(拡散,エピタキシー)