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東理大・理 | 論文
- 3連G04 誘電異方性の異なる側鎖型高分子液晶の電気光学効果
- 1S29 l-Menthyl methacrylateをキラル成分とする高分子液晶の合成
- 1S26 高分子液晶のオーダーパラメーター : ESRによる研究
- 2D02 ポリ[4-カルボニルジオキシ-4'-オリゴ(エチレノオキシ)カルボニルオキシ-アゾキシベンゼン]の液晶性
- 3V23 ポリ(オリゴエチレングリコール-アゾキシベンゾエート)の液晶性に及ぼす屈曲鎖の効果
- サ-モトロピック高分子液晶の現状
- 27p-X-2 電子状態の理解はどこまで進んだか?
- P-30 天然8員環ラクトンAstakolactinの不斉全合成研究(ポスター発表の部)
- 1p-YE-9 強電界下原子スケール構造物における表面ポテンシャル障壁
- 8p-P-12 CaをDopeしたKCL単結晶の誘電体損
- 5p-J-4 (NH_4)_3H(SeO_4)_2および(ND_4)_3D(SO_4)_2の比熱異常
- 10a-M-3 アルカリハライド単結晶中の2価不純物凝集機構 (II)
- 7p-B-2 KCl単結晶の誘電体損 (I)
- 12a-K-4 β-黄銅における電気抵抗の急冷温度依存
- 30p-G-2 急冷β-黄銅の秩序化と原子空孔の挙動
- Κ^-d→π^-Λp反応(ハドロンと原子核の相互作用,研究会報告)
- 1p-KL-4 β-黄銅中の逆位相境界の方位依存
- 12a-K-5 急冷β-黄銅中の逆位相境界近傍での付加的原子変位
- 熱重量天秤を用いたシリコンカーバイドの CVD 成長過程のその場観察 : 薄膜
- 単一ソース(MTS)による3C-SiCのCVD成長 : 無機結晶II